云南中科鑫圆晶体材料有限公司 main business:太阳能、红外、高纯锗单晶系列产品的生产与销售(限分公司生产)；货物及技术进出口业务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2008年06月13日
- 包文东
- 22645.804000
- 2008年06月13日 至 永久
- 昆明市工商行政管理局
- 2018年06月01日
- 云南省昆明市高新区马金铺魁星街666号
- 太阳能、红外、高纯锗单晶系列产品的生产与销售(限分公司生产)；货物及技术进出口业务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | http://www.sino-ge.com/zkxyFront/index.html |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205000007U | 水冷式真空泵卡头 | 2016.01.27 | 本实用新型属于VGF单晶生长、退火等封焊工序的一种抽真空设备，具体的说是一种水冷式真空泵卡头。本实用 |
| 2 | CN204975623U | 氢氧焰封焊枪 | 2016.01.20 | 一种氢氧焰封焊枪，涉及VGF单晶生长的封焊设备，尤其是一种预热均匀、封焊石英管不易破裂的氢氧焰封焊枪 |
| 3 | CN204198896U | 单晶生长装料用双层坩埚 | 2015.03.11 | 一种单晶生长装料用双层坩埚，涉及一种装料装置，尤其是一种通过提高坩埚高度，提高生产效率的单晶生长装料 |
| 4 | CN204125561U | VGF锗单晶生长炉芯模具 | 2015.01.28 | 一种VGF锗单晶生长炉芯模具，涉及一种模具，尤其是一种用于VGF锗单晶生长过程中，简化炉芯制作过程， |
| 5 | CN102234500A | 精密多线切割和研磨用切磨粉体材料 | 2011.11.09 | 本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨 |
| 6 | CN102234484A | 半导体晶片精密化学机械抛光剂 | 2011.11.09 | 一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯1％-10％ |
| 7 | CN102233620A | 多线切割载荷控制方法 | 2011.11.09 | 本发明涉及切割控制技术领域，特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢 |
| 8 | CN102234595A | 一种精密抛光晶片用有机物清洗液 | 2011.11.09 | 本发明涉及清洗液技术领域，特别是一种适用于精密抛光晶片的有机物去除清洗液。该有机物清洗液由醚和醇两种 |
| 9 | CN201776703U | 可以修整抛光晶片平整度的抛光头 | 2011.03.30 | 一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒 |
| 10 | CN201776693U | 双面抛光机 | 2011.03.30 | 一种双面抛光机，包括：一内齿圈和一外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；一上抛光盘和一下抛光盘 |
| 11 | CN201720213U | 扩散型兆声波清洗槽 | 2011.01.26 | 一种扩散型兆声波清洗槽，其特征在于，包括：一清洗槽；一兆声阵列，该兆声阵列装在清洗槽的底部下面；一半 |
| 12 | CN201699002U | 晶片工艺卡具 | 2011.01.05 | 本实用新型提供一种晶片工艺卡具，其特征在于，包括：一底座，该底座为一圆柱体；多个四面锥体，所述四面锥 |
| 13 | CN201653324U | 一种片状材料厚度测量装置 | 2010.11.24 | 本实用新型涉及一种片状材料厚度测量装置，包括：一测量底座；一第一固定立柱和一第二固定立柱，该第一固定 |
| 14 | CN100494473C | 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法 | 2009.06.03 | 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括 |
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